陶瓷基板AMB技术（Active Metal Brazing 活性金属钎焊）

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1. 材料性能

1.01可用陶瓷类型和性能

项目/类型AlN
氮化铝		Si3N4
氮化硅		单位
密度 Density3.33.22g/m3
热导率
Thermal Conductivity		>170 85W/m * K
线膨胀系数
Coefficient of Thermal Expansion		4.7 (20℃~300℃) 2.7
(20℃~300℃) 		* 10-6/K
抗弯强度
Bending Strength
(Σ0,M>10)		>350 >700 MPa
介质损耗
Dielectric Loss		0.0005 0.0005 1MHz
介电常数
Dielectric Constant		9.0 8.0 1Mhz
介电强度
Dielectric Strength		>15 >15 KV/mm
体积电阻
Electrical Resistivity		>1014 >1014 Ω *cm
杨氏模量
E-Modulus		320 300 GPa

1.02 铜性能

项目数值 单位
纯度
Purity 		99.99 %
O2 含量
O2 Content		OFHC –
硬度
Hardness		60~110 HV
导电性
Electrical Conductivity		58.6 MS/m

1.03 可用陶瓷类型/厚度

陶瓷厚度AIN (氮化铝) Si3N4 (氮化硅)
0.25mm (毫米) ✔ 4”* 4”
0.32mm✔ 5,5”* 7,5”
0.38mm ✔ 5”* 5”
0.63mm ✔ 5,5”* 7,5”
1.0mm ✔ 5,5”* 7,5”

1.04 铜厚度

0.20mm 0.30mm0.50mm0.80mm

1.05 可用材料厚度组合

铜厚度陶瓷厚度
0.20mm 0.30mm0.50mm 0.80mm
0.25 mm AlNAlN––
0.32 mmSi3N4Si3N4Si3N4Si3N4
0.38 mmAlNAlNAlN –
0.63 mm AlNAlNAlN –
1.00 mm AlNAlNAlN

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2.设计特点

2.01 图案最小宽度/间距尺寸

铜厚度
COPPER THICKNESS		间距
SPACINGS		最小螺距
MIN. PITCH
0.20mm 0.35mm 0.7mm
0.30mm 0.55mm 0.9mm
0.50mm 0.65mm 1.1mm
0.80mm 1.10mm 2.0mm

2.02 陶瓷边缘周长

铜厚度
COPPER THICKNESS		距离
DISTANCE
0.20mm A≥0.20mm
0.30mm A≥0.30mm
0.50mm A≥0.40mm
0.80mm A≥0.50mm

2.03 前/后铜图案错位

距离
M≤0.2mm

2.04 腐蚀系数

腐蚀系数
F=T/A>2

关于我们

我们是一支专业团队，在设计、制造和供应高品质的以陶瓷为基础的产品方面拥有丰富的经验。公司的专家在选择最佳解决方案方面拥有丰富的经验。这有助于显著降低制造工程产品的成本。

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